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    論文獎(jiǎng)勵(lì)--熱烈祝賀廣東工業(yè)大學(xué)黃少銘教授課題組應(yīng)用我司PECVD系統(tǒng)在國際期刊上發(fā)表論文

    發(fā)布時(shí)間:

    2024-08-15

    廣東工業(yè)大學(xué)黃少銘教授課題組的論文《Anion-Regulated Sulfur Conversion in High-Content Carbon Layer Confined Sulfur Cathode Maximizes Voltage and Rate Capability of K–S Batteries》在《Advanced Materials》上發(fā)表,該期刊分區(qū)為一區(qū),影響因子為29.4。該論文獲得我司論文獎(jiǎng)勵(lì)計(jì)劃二等獎(jiǎng)勵(lì)。

    廣東工業(yè)大學(xué)材料與能源學(xué)院

    黃少銘教授課題組

    教授簡介

    黃少銘,教授,博導(dǎo),國家杰出青年基金獲得者。2019.02月起任職廣東工業(yè)大學(xué)。擔(dān)任廣州市低維材料與儲(chǔ)能器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任,校學(xué)術(shù)與學(xué)位委員會(huì)委員及分委員會(huì)主任。長期致力于低維材料及器件應(yīng)用研究。在納米結(jié)構(gòu)碳材料及儲(chǔ)能器件應(yīng)用基礎(chǔ)研究方面取得了一系列具有國際影響的成果。1999年以來已在國際學(xué)術(shù)刊物上發(fā)表430余篇論文, 包括Nat. Mater., Nat. Nanotech., Nat. Commun., JACS., Angew. Chem. Int. Ed., Adv. Mater., Phys. Rev. Lett.等,被引用2.3萬多次, H指數(shù)75,入選科睿唯安全球高被引科學(xué)家。申請(qǐng)專利90多項(xiàng)。先后完成和承擔(dān)包括科技部973和863項(xiàng)目、國家杰出青年基金、國家自然科學(xué)基金委國際合作研究重點(diǎn)項(xiàng)目、面上項(xiàng)目及省部級(jí)重點(diǎn)項(xiàng)目等十多項(xiàng),獲省部級(jí)獎(jiǎng)3項(xiàng)。是國家基金委、自然科學(xué)獎(jiǎng)、科技部、教育部等通訊和會(huì)和會(huì)評(píng)專家。

    論文介紹

    廣東工業(yè)大學(xué)黃少銘教授課題組的論文《Anion-Regulated Sulfur Conversion in High-Content Carbon Layer Confined Sulfur Cathode Maximizes Voltage and Rate Capability of K–S Batteries》在《Advanced Materials》上發(fā)表,該期刊分區(qū)為一區(qū),影響因子為29.4。該論文獲得我司論文獎(jiǎng)勵(lì)計(jì)劃二等獎(jiǎng)勵(lì)。

    DOI: 10.1002/adma.202311127

    該文中使用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)系統(tǒng),通過原位C/S共沉積工藝制備了碳約束SMCS@C納米片。使用二硫化碳(CS2)和硫粉末、Ar/H2和氯化鈉粉末分別作為碳/硫源、載氣和基底。典型的合成過程如下圖所示(Figure 1. a),前體分解成高活性的C/S基混合等離子體,并共同沉積在NaCl表面,形成碳約束的SMCS復(fù)合納米片。

    Figure 1. a) Schematic illustration for the deposition process of SMCS@C and the matching effect between SMCS@C and KFSI-EC/DEC electrolyte.

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    論文中所使用的PECVD系統(tǒng)由天津中環(huán)電爐股份有限公司提供,論文中也特別提到天津中環(huán)電爐股份有限公司,在此感謝老師對(duì)天津中環(huán)儀器的認(rèn)可。天津中環(huán)將持續(xù)助力科研工作者科學(xué)研究和技術(shù)創(chuàng)新。

    設(shè)備介紹

    PECVD系統(tǒng)是借助射頻使含有薄膜組成原子的氣體電離,在局部形成等離子體,而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng),很容易發(fā)生反應(yīng),在基片上沉積出所期望的薄膜。適用于二維材料制備、石墨烯生長、TMDs材料制備、薄膜材料制備、納米結(jié)構(gòu)生長等。

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